P-Channel 200 V 2A (Tc) 27W (Tc) Through Hole TO-220-3

Ürün Açıklaması

IRFI9610GPBF - VISHAY SILICONIX - MOSFET P-CH 200V 2A TO220-3 Paketleme Tube Paket / Kılıf TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Montaj Tipi Through Hole Çalışma Sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ) Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) FET Tipi P-Channel Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 2A (Tc) Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 3Ohm @ 1.2A, 10V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) 27W (Tc) Vgs(th) (Maks) @ Id 4V @ 250µA Tedarikçi Paketleme TO-220-3 Maksimum Sürüş Gerilimi 10V Maksimum Gain Source Gerilimi ±20V Drain Source Gerilimi (Vdss) 200 V Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 13 nC @ 10 V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 180 pF @ 25 V