P-Channel 30 V 12A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)

Ürün Açıklaması

RQ3E120ATTB - ROHM SEMICONDUCTOR - MOSFET P-CH 30V 12A 8HSMT Paketleme Cut Tape (CT) Paket / Kılıf 8-PowerVDFN Montaj Tipi Surface Mount Çalışma sıcaklığı 150°C (TJ) Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) Fet Tipi P-Channel Sürekli Drain akımı (Id) @ 25°C 12A (Ta) Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 8mOhm @ 12A, 10V Fet Özelliği - Maksimum Güç Tüketimi 2W (Ta) Vgs(th) (Maks) @ Id 2.5V @ 1mA Tedarikçi Paketleme 8-HSMT (3.2x3) Maksimum Sürüş Gerilimi 4.5V, 10V Maksimum Gain Source Gerilimi ±20V Drain Source Gerilimi (Vdss) 30 V Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 62 nC @ 10 V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 3200 pF @ 15 V