P-Channel 30 V 17.3A (Ta) 3.1W (Ta), 6.9W (Tc) Surface Mount 8-SOIC

Ürün Açıklaması

SI4491EDY-T1-GE3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET P-CH 30V 17.3A 8SO Paketleme Cut Tape (CT) Paket / Kılıf 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Montaj Tipi Surface Mount Çalışma sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ) Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) Fet Tipi P-Channel Sürekli Drain akımı (Id) @ 25°C 17.3A (Ta) Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 6.5mOhm @ 13A, 10V Fet Özelliği - Maksimum Güç Tüketimi 3.1W (Ta), 6.9W (Tc) Vgs(th) (Maks) @ Id 2.8V @ 250µA Tedarikçi Paketleme 8-SOIC Maksimum Sürüş Gerilimi 4.5V, 10V Maksimum Gain Source Gerilimi ±25V Drain Source Gerilimi (Vdss) 30 V Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 153 nC @ 10 V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 4620 pF @ 15 V