P-Channel 30 V 20.5A (Ta), 27.8A (Tc) 3.1W (Ta), 5.6W (Tc) Surface Mount 8-SO

Ürün Açıklaması

SI4459BDY-T1-GE3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET P-CH 30V 20.5A/27.8A 8SO Paketleme Cut Tape (CT) Paket / Kılıf 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Montaj Tipi Surface Mount Çalışma sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ) Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) Fet Tipi P-Channel Sürekli Drain akımı (Id) @ 25°C 20.5A (Ta), 27.8A (Tc) Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 4.9mOhm @ 15A, 10V Fet Özelliği - Maksimum Güç Tüketimi 3.1W (Ta), 5.6W (Tc) Vgs(th) (Maks) @ Id 2.2V @ 250µA Tedarikçi Paketleme 8-SO Maksimum Sürüş Gerilimi 4.5V, 10V Maksimum Gain Source Gerilimi +20V, -16V Drain Source Gerilimi (Vdss) 30 V Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 84 nC @ 10 V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 3490 pF @ 15 V