P-Channel 30 V 35A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8

Ürün Açıklaması

SI7617DN-T1-GE3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET P-CH 30V 35A PPAK1212-8 Paketleme Cut Tape (CT) Paket / Kılıf PowerPAK® 1212-8 Montaj Tipi Surface Mount Çalışma sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ) Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) Fet Tipi P-Channel Sürekli Drain akımı (Id) @ 25°C 35A (Tc) Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 12.3mOhm @ 13.9A, 10V Fet Özelliği - Maksimum Güç Tüketimi 3.7W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Maks) @ Id 2.5V @ 250µA Tedarikçi Paketleme PowerPAK® 1212-8 Maksimum Sürüş Gerilimi 4.5V, 10V Maksimum Gain Source Gerilimi ±25V Drain Source Gerilimi (Vdss) 30 V Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 59 nC @ 10 V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 1800 pF @ 15 V