P-Channel 30 V 4.6A (Ta) 1.47W (Ta) Surface Mount 4-Microfoot

Ürün Açıklaması

SI8409DB-T1-E1 - VISHAY SILICONIX - MOSFET P-CH 30V 4.6A 4MICROFOOT FET Tipi P-Channel Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) Drain Source Gerilimi (Vdss) 30 V Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 4.6A (Ta) Maksimum Sürüş Gerilimi 2.5V, 4.5V Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 46mOhm @ 1A, 4.5V Vgs(th) (Maks) @ Id 1.4V @ 250µA Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 26 nC @ 4.5 V Maksimum Gain Source Gerilimi ±12V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) 1.47W (Ta) Çalışma Sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ) Derece - Kalifikasyon - Montaj Tipi Surface Mount Tedarikçi Paketleme 4-Microfoot Paket / Kılıf 4-XFBGA, CSPBGA