P-Channel 30 V 4A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6

Ürün Açıklaması

FDC658P - ONSEMI - MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6 FET Tipi P-Channel Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) Drain Source Gerilimi (Vdss) 30 V Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 4A (Ta) Maksimum Sürüş Gerilimi 10V Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 50mOhm @ 4A, 10V Vgs(th) (Maks) @ Id 3V @ 250µA Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 12 nC @ 5 V Maksimum Gain Source Gerilimi ±20V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 750 pF @ 15 V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) 1.6W (Ta) Çalışma Sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ) Derece - Kalifikasyon - Montaj Tipi Surface Mount Tedarikçi Paketleme SuperSOT™-6 Paket / Kılıf SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6