P-Channel 30 V 9A (Tc) 2.5W (Ta), 4.2W (Tc) Surface Mount 8-SOIC

Ürün Açıklaması

SI4431CDY-T1-GE3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET P-CH 30V 9A 8SO FET Tipi P-Channel Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) Drain Source Gerilimi (Vdss) 30 V Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 9A (Tc) Maksimum Sürüş Gerilimi 4.5V, 10V Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 32mOhm @ 7A, 10V Vgs(th) (Maks) @ Id 2.5V @ 250µA Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 38 nC @ 10 V Maksimum Gain Source Gerilimi ±20V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 1006 pF @ 15 V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) 2.5W (Ta), 4.2W (Tc) Çalışma Sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ) Montaj Tipi Surface Mount Tedarikçi Paketleme 8-SOIC Paket / Kılıf 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)