P-Channel 30V 2.7A (Tc) 1W (Ta), 2.3W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Ürün Açıklaması

SI2303CDS-T1-GE3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3 Paketleme Cut Tape (CT) Fet Tipi P-Channel Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) Drain Source Gerilimi (Vdss) 30V Sürekli Drain akımı (Id) @ 25°C 2.7A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 190mOhm @ 1.9A, 10V Vgs(th) (Maks) @ Id 3V @ 250µA Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 8nC @ 10V Maksimum Gain Source Gerilimi ±20V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 155pF @ 15V Fet Özelliği - Maksimum Güç Tüketimi 1W (Ta), 2.3W (Tc) Çalışma sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ) Montaj Tipi Surface Mount Tedarikçi Paketleme SOT-23-3 (TO-236) Paket / Kılıf TO-236-3, SC-59, SOT-23-3