P-Channel 30V 8.8A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Ürün Açıklaması

FDS4435BZ - ON SEMICONDUCTOR - MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC Paketleme Cut Tape (CT) Fet Tipi P-Channel Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) Drain Source Gerilimi (Vdss) 30V Sürekli Drain akımı (Id) @ 25°C 8.8A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 20mOhm @ 8.8A, 10V Vgs(th) (Maks) @ Id 3V @ 250µA Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 40nC @ 10V Maksimum Gain Source Gerilimi ±25V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 1845pF @ 15V Fet Özelliği - Maksimum Güç Tüketimi 2.5W (Ta) Çalışma sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ) Montaj Tipi Surface Mount Tedarikçi Paketleme 8-SOIC Paket / Kılıf 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)