P-Channel 40 V 7.2A (Tc) 4.2W (Tc) Surface Mount 8-SOIC

Ürün Açıklaması

SI4447ADY-T1-GE3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET P-CH 40V 7.2A 8SO FET Tipi P-Channel Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) Drain Source Gerilimi (Vdss) 40 V Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 7.2A (Tc) Maksimum Sürüş Gerilimi 4.5V, 10V Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 45mOhm @ 5A, 10V Vgs(th) (Maks) @ Id 2.5V @ 250µA Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 38 nC @ 10 V Maksimum Gain Source Gerilimi ±20V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 970 pF @ 20 V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) 4.2W (Tc) Çalışma Sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ) Derece - Kalifikasyon - Montaj Tipi Surface Mount Tedarikçi Paketleme 8-SOIC Paket / Kılıf 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)