P-Channel 40 V 8.7A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Ürün Açıklaması

SI4401BDY-T1-GE3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SO Paketleme Cut Tape (CT) Paket / Kılıf 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Montaj Tipi Surface Mount Çalışma sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ) Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) Fet Tipi P-Channel Sürekli Drain akımı (Id) @ 25°C 8.7A (Ta) Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 14mOhm @ 10.5A, 10V Fet Özelliği - Maksimum Güç Tüketimi 1.5W (Ta) Vgs(th) (Maks) @ Id 3V @ 250µA Tedarikçi Paketleme 8-SOIC Maksimum Sürüş Gerilimi 4.5V, 10V Maksimum Gain Source Gerilimi ±20V Drain Source Gerilimi (Vdss) 40 V Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 55 nC @ 5 V