P-Channel 500 V 2.7A (Tc) 85W (Tc) Through Hole TO-220-3

Ürün Açıklaması

FQP3P50 - ONSEMI - MOSFET P-CH 500V 2.7A TO220-3 FET Tipi P-Channel Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) Drain Source Gerilimi (Vdss) 500 V Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 2.7A (Tc) Maksimum Sürüş Gerilimi 10V Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 4.9Ohm @ 1.35A, 10V Vgs(th) (Maks) @ Id 5V @ 250µA Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 23 nC @ 10 V Maksimum Gain Source Gerilimi ±30V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 660 pF @ 25 V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) 85W (Tc) Çalışma Sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ) Derece - Kalifikasyon - Montaj Tipi Through Hole Tedarikçi Paketleme TO-220-3 Paket / Kılıf TO-220-3