P-Channel 60 V 2.9A (Tc) 2W (Ta), 3.3W (Tc) Surface Mount 6-TSOP

Ürün Açıklaması

SI3459BDV-T1-GE3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET P-CH 60V 2.9A 6TSOP Paketleme Cut Tape (CT) Paket / Kılıf SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Montaj Tipi Surface Mount Çalışma Sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ) Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) FET Tipi P-Channel Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 2.9A (Tc) Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 216mOhm @ 2.2A, 10V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) 2W (Ta), 3.3W (Tc) Vgs(th) (Maks) @ Id 3V @ 250µA Tedarikçi Paketleme 6-TSOP Maksimum Sürüş Gerilimi 4.5V, 10V Maksimum Gain Source Gerilimi ±20V Drain Source Gerilimi (Vdss) 60 V Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 12 nC @ 10 V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 350 pF @ 30 V