P-Channel 60 V 36A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Ürün Açıklaması

SQJ457EP-T1_GE3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET P-CH 60V 36A PPAK SO-8 Paketleme Cut Tape (CT) Paket / Kılıf PowerPAK® SO-8 Montaj Tipi Surface Mount Çalışma Sıcaklığı -55°C ~ 175°C (TJ) Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) FET Tipi P-Channel Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C 36A (Tc) Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 25mOhm @ 10A, 10V FET Özelliği - Güç Tüketimi (Maks.) 68W (Tc) Vgs(th) (Maks) @ Id 2.5V @ 250µA Tedarikçi Paketleme PowerPAK® SO-8 Derece Automotive Maksimum Sürüş Gerilimi 4.5V, 10V Maksimum Gain Source Gerilimi ±20V Drain Source Gerilimi (Vdss) 60 V Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 100 nC @ 10 V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 3400 pF @ 25 V Kalifikasyon AEC-Q101