P-Channel 60V 185mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Ürün Açıklaması

TP0610K-T1-E3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3 Paketleme Cut Tape (CT) Fet Tipi P-Channel Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) Drain Source Gerilimi (Vdss) 60V Sürekli Drain akımı (Id) @ 25°C 185mA (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 6Ohm @ 500mA, 10V Vgs(th) (Maks) @ Id 3V @ 250µA Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 1.7nC @ 15V Maksimum Gain Source Gerilimi ±20V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 23pF @ 25V Fet Özelliği - Maksimum Güç Tüketimi 350mW (Ta) Çalışma sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ) Montaj Tipi Surface Mount Tedarikçi Paketleme SOT-23-3 (TO-236) Paket / Kılıf TO-236-3, SC-59, SOT-23-3