P-Channel 8 V 6A (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Ürün Açıklaması

SI2329DS-T1-GE3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET P-CH 8V 6A SOT23-3 Paketleme Cut Tape (CT) Paket / Kılıf TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Montaj Tipi Surface Mount Çalışma sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ) Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) Fet Tipi P-Channel Sürekli Drain akımı (Id) @ 25°C 6A (Tc) Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 30mOhm @ 5.3A, 4.5V Fet Özelliği - Maksimum Güç Tüketimi 2.5W (Tc) Vgs(th) (Maks) @ Id 800mV @ 250µA Tedarikçi Paketleme SOT-23-3 (TO-236) Maksimum Sürüş Gerilimi 1.2V, 4.5V Maksimum Gain Source Gerilimi ±5V Drain Source Gerilimi (Vdss) 8 V Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 29 nC @ 4.5 V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 1485 pF @ 4 V