P-Channel 80 V 2.2A (Tc) 3W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Ürün Açıklaması

SQ2337ES-T1_BE3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3 Paketleme Cut Tape (CT) Paket / Kılıf TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Montaj Tipi Surface Mount Çalışma sıcaklığı -55°C ~ 175°C (TJ) Teknoloji MOSFET (Metal Oxide) Fet Tipi P-Channel Sürekli Drain akımı (Id) @ 25°C 2.2A (Tc) Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs 290mOhm @ 1.2A, 10V Fet Özelliği - Maksimum Güç Tüketimi 3W (Tc) Vgs(th) (Maks) @ Id 2.5V @ 250µA Tedarikçi Paketleme SOT-23-3 (TO-236) Maksimum Sürüş Gerilimi 6V, 10V Maksimum Gain Source Gerilimi ±20V Drain Source Gerilimi (Vdss) 80 V Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs 18 nC @ 10 V Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds 620 pF @ 40 V